Karakterisasi Mikrostruktur Material Feroelektrik Ba0.3Sr0,7TiO3 (BST) dengan variasi suhu annealing

Rahmi Dewi; Krisman Krisman

doi:10.22146/jfi.38655

Karakterisasi Mikrostruktur Material Feroelektrik Ba0.3Sr0,7TiO3 (BST) dengan variasi suhu annealing

https://doi.org/10.22146/jfi.38655

Rahmi Dewi^(1*), Krisman Krisman⁽²⁾

(1) Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Riau Kampus Bina Widya Pekanbaru, 28293, Indonesia
(2) Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Riau Kampus Bina Widya Pekanbaru, 28293, Indonesia
(*) Corresponding Author

Abstract

Telah dilakukan pembuatan sampel dari bahan Barium Strontium Titanat (BST) dengan komposisi Ba_0,₃Sr_0,₇Tio₃dengan menggunakan metode sol gel dan di annealing pada suhu 600^oC,650^oC dan 700^oC. Ukuran butira dan ketebalan sampel dikarakterisasi menggunakan Field Emission Scanning Microscopy (FESEM). Ukuran butiran meningkat dengan meningkatnya suhu annealing. Nilai rata-rata ukuran butiran dari temperatur 600^oC, 650^oC dan 700^oC adalah : 21,20 nm; 22,30 nm dan 26.8 nm. Nilai ketebalan sampel masing-masing adalah 31,28 nm;37,5nm dan 39,08nm.

Keywords

Ba0,3Sr0,7Tio3, temperatur annealing, FESEM, ukuran butiran, ketebalan

Full Text:

PDF

References

Allison, M. 2007. Metrology and Analysis of Nano-Particulate Barium Titanate Dielectric Material, Master of Science, Department of Electrical and Computer Engineering College of Engineering. Kansas State University, Manhattan, Kansas. [2] Dus, B. W., Czekaj, A. L., Orkisz, T., Adamczyk, M., Osinska, K., Kozielski, L., and Czekaj, D. 2007. The Sol-Gel Synthesisof Barium Strontium Titanate Ceramics. Material Science-Poland, Vol. 25, No.3. [3]Krisman, dan Rahmi, D,. 2013. Menentukan Konstanta Dielektrik Lapisan Tipis (Ba0.6Sr0.4TiO3) dengan Menggunakan Impedansi Kompleks. JurusanFisika, FMIPA, Universiatas Riau, Pekanbaru [4] Lestari, D. N. 2009. Studi Preparasi dan Karakterisasi N-Doped TiO2 dengan Metode Sol Gel Menggunakan Prekursor Titanium Iso Propoksida (TTIP) dan Diethylamine (DEA). Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Indonesia, Depok. [5] Ling R T, Ning W X, She L J, Jin Z H. 2002. Characteristics of silicon-based BaxSr1-xTiO3 thin films prepared by a sol-gel method. Jurnal Phys D Appl. Phys.35. 50-56. [6] Uchino, K. 2000. Ferroelectric Devices. Marcel Dekker, Inc., NewYork. [7] Vijatovic, M. M., Bobic, J. D., Stojanovic, B. D. 2008. History and Challenges of Barium Titanate: Part II. Science of Sintering, Vol. 40, pp. 235-244. [8] Vlack V. 1992. Ilmu dan Teknologi Bahan. Terjemahan : Sriati Djaprie. Universitas Indonesia : Jakarta. [9] Zhu X, LU.S, LW Chan H., Choy C.L, Wong K.H. 2003. Microstructures and Dielectric Properties of Compositionally Graded (Ba1-xSrx)TiO3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition. Jurnal App. Phys. A 76. 225-229.

DOI: https://doi.org/10.22146/jfi.38655