Analisa Pergeseran Magnetic Domain Wall Pada Lapisan Tipis Free Layer CoFeB Untuk Sistem Spin-Valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR) Sensor

https://doi.org/10.22146/jfi.24407

Galih Setyawan(1*), Edi Suharyadi(2)

(1) Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, Indonesia Sekip Utara PO BOX BLS. 21 Yogyakarta 55281, Indonesia
(2) Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, Indonesia Sekip Utara PO BOX BLS. 21 Yogyakarta 55281, Indonesia
(*) Corresponding Author

Abstract


Telah dilakukan analisa pergeseran magnetic domain wall pada lapisan tipis free layer CoFeB untuk sistem spin-valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR). Analisa telah dilakukan dengan menggunakan software Object Oriented Micromagnetic Framework (OOMMF) berdasarkan persamaan Landau-Lifshitz Gilbert (LLG). Analisa pergeseran magnetic domain wall pada CoFeB yang mempunyai ukuran luas 120x100 nm2 dengan variasi ketebalan 1 dan 4 nm. Dari simulasi didapatkan hasil analisa pergeseran magnetic domain wall, histeresis loop dan energi dari sistem ferromagnetik (energy exchange dan demagnetisasi). Pada medan eksternal 299,9 Oersted CoFeB dengan ketebalan 1 nm nilai Mx/Ms adalah 0,99 dan pada ketebalan 4 nm nilai Mx/Ms adalah 0.93. Energi demagnetisasi mempunyai pola naik dengan bertambahnya medan luar dan energi exchange menurun dengan bertambahnya medan luar. 


Full Text:

PDF



DOI: https://doi.org/10.22146/jfi.24407

Article Metrics

Abstract views : 283 | views : 184

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c) 2017 Jurnal Fisika Indonesia



JFI Journal is indexed by:

Creative Commons License
Jurnal Fisika Indonesia, its website and the articles published are licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License. © Universitas Gadjah Mada.
web
analytics View My Stats